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ダイナミックRAM

データを蓄積する1ビットのセルが、コンデンサとトランジスタ1つずつで構成されているRAM。セルの構成が単純なため、高集積がSRAMより可能となる。ただし、コンデンサで構成されているため、REFRESH期間というコンデンサを再度充電する期間が必要のため、アクセスのための回路構成がSRAMより複雑になる。

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